| 专利名称 | 高质量超薄六方NiPS3纳米片及其大面积制备方法 | 申请号 | CN201710427138.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107117659A | 公开（授权）日 | 2017.09.01 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;王枫梅 | 主分类号 | C01G53/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G53/00(2006.01)I;C01B25/08(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 高质量超薄六方NiPS3纳米片及其大面积制备方法 至高质量超薄六方NiPS3纳米片及其大面积制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及高质量超薄六方NiPS3纳米片及其大面积制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域，主要采用了两步化学气相反应方法。首先通过水热合成的方法在不同的基底表面生长Ni(OH)2纳米片，然后将其加热至450?470℃与同时加热升华的硫粉和磷粉发生化学反应，最终得到超薄的六方NiPS3纳米片，得到的六方NiPS3纳米片厚度约为3?5nm，横向尺寸约为10?20μm。本发明所述方法制备工艺简单，操作便捷且成本低，具有广阔的应用前景。 |
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