| 专利名称 | 一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件 | 申请号 | CN201710038641.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106784126A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄志明;周炜;姚娘娟;曲越;吴敬;高艳卿;黄敬国;张飞;尹一鸣;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/115(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件 至一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。 |
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