| 专利名称 | 化合物半导体薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201610890513.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106409659A | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 宋秋明;顾光一;杨春雷;肖旭东 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 化合物半导体薄膜及其制备方法 至化合物半导体薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体薄膜及其制备方法。上述化合物半导体薄膜的制备方法包括如下步骤：提供基片，基片包括依次层叠设置的衬底、金属薄膜预制层以及固态硒膜；将两个基片平行间隔设置，且两个基片中的硒膜相对；以及在含有气态硫源的气氛下，对金属薄膜预制层同时进行硒化硫化，在衬底上制得化合物半导体薄膜。上述平行间隔设置的两个基片作为限域边界，组成了限域反应空间，同时进行硒化硫化时，能够将高温处理过程中的反应物以及挥发相禁锢在上述空间内，避免了反应物流失对反应过程的失控影响，可以将微观上较难控制的硒与硫的竞争反应关系转移到较易实现的宏观空间上调控，对硒状态、硒的量以及硒化硫化反应的过程均实现稳定控制。 |
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