| 专利名称 | 一种用于方钴矿热电元件的合金电极及其制备方法 | 申请号 | CN201510255817.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106299099A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;日立金属株式会社 | 发明（设计）人 | 黄向阳;师兰芳;万舜;唐云山;顾明;陈立东;岛田武司;後藤良 | 主分类号 | H01L35/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/04(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于方钴矿热电元件的合金电极及其制备方法 至一种用于方钴矿热电元件的合金电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于方钴矿热电元件的合金电极及其制备方法，所述合金电极为沉积于方钴矿热电元件两端部的合金电极，其中，所述合金电极材质为Ni-Mo合金或者Ni-W合金，Ni-Mo合金中Mo的摩尔百分含量为10%~40%，Ni-W合金中W的摩尔百分含量为5%~40%。本发明中，选用的电极材料是通过电镀或化学镀法制备的Ni(Mo)、Ni(W)合金电极，该类合金电极导电性好，焊接性好，且通过Mo、W等热膨胀系数小的物质可调节含Ni电极的热膨胀系数，减小电极材料与方钴矿热电材料的热膨胀系数差异。 |
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