| 专利名称 | 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法 | 申请号 | CN201610642661.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106276873A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;马骏;张苗;薛忠营;贾鹏飞;汪子文;王刚;王曦 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法 至一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，以从所述点缺陷处对所述石墨烯进行刻蚀，得到纳米孔。本发明的制备锗基石墨烯纳米孔的方法获得的石墨烯纳米孔具有质量好、尺寸易于调节、不会刻蚀石墨烯等优势。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺。所以本发明的制备方法将能更快地推动石墨烯在单层膜材料上的推广与应用。 |
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