| 专利名称 | 场效应晶体管及装置 | 申请号 | CN201820870449.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208240689U | 公开（授权）日 | 2018.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 戴明志 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 专利有效期 | 场效应晶体管及装置 至场效应晶体管及装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种场效应晶体管及装置。所述场效应晶体管包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。较之现有技术，本实用新型提供的场效应晶体管结构更为简单，可以实现反相器、非门、非门电路、与非门、或非门以及或门等多种功能，同时其制作工艺简单，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，且成本低廉，具有广阔的应用前景。 |
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