| 专利名称 | 用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构 | 申请号 | CN201820500293.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208225894U | 公开（授权）日 | 2018.12.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 周易;陈建新;田源 | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 专利有效期 | 用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构 至用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构。超晶格材料是一种多周期交叠生长的量子结构材料，与传统的平面结HgCdTe材料相比，超晶格探测器一般为原位掺杂的台面结构，无法直接通过激光诱导电流的方法测试吸收区的少子扩散长度。本专利公开的结构利用浅台面将PN结区与吸收区进行隔离，使得浅台面处吸收区在无电场作用的情况下产生光生载流子，并通过扩散到电场区被收集，从而可以方便快捷地测试并获得超晶格吸收区的少子横向扩散长度，对超晶格红外探测材料的参数测试及性能表征有重要的意义。 |
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