| 专利名称 | 基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器 | 申请号 | CN201820908870.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208225887U | 公开（授权）日 | 2018.12.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李宁;郑元辽;陈平平;李志锋;杨贺鸣;周玉伟;唐舟;陈效双;陆卫 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器 至基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本专利可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本专利的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。 |
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