| 专利名称 | 窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置 | 申请号 | CN201820500321.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208224427U | 公开（授权）日 | 2018.12.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李天信;谢天;夏辉;童中英;陆卫 | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2014.01)I;G01Q60/46(2010.01)I | 专利有效期 | 窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置 至窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测量真空腔中的低温试样台上，分别在红外光激发和暗背景条件下进行微分电容显微分布的测量，最后将测得的微分电容信号差值，得到由光激发少数载流子引起的微分电容信号分布。本专利适用于多数窄禁带半导体材料，能够在接近工作状态下实现对材料中少数载流子分布的灵敏测量，空间分辨率足以解析红外光电功能结构中PN结等关键区域，对评估半导体材料特性、预测和优化器件性能有重要的意义。 |
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