| 专利名称 | 一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构 | 申请号 | CN201820606657.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208157437U | 公开（授权）日 | 2018.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张真真;万文坚;黎华;符张龙;李子平;仲雨;曹俊诚 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构 至一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构，其包括：多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底，其中，每个所述微腔单元包括：一上金属电极，以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层，该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同；所有所述微腔单元还包括：一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板，该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本实用新型不仅可以实现光的正入射耦合，有效提高量子阱对光的吸收效率，降低量子阱探测器的暗电流，提高其工作温度，而且可以达到微腔内电场增强的效果，提高量子阱探测器的光耦合效率。 |
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