| 专利名称 | 减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺 | 申请号 | CN201711020462.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107903068A | 公开（授权）日 | 2018.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 董斌超;张舸;张学军;崔聪聪;曹琪;包建勋 | 主分类号 | C04B35/573(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/573(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺 至减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的烧结工艺，包括如下步骤：提供一真空烧结炉，真空烧结炉设有多组加热器，待烧结的坯体置于多组加热器中间；用碳化硅粉通过凝胶注模工艺并脱脂制成碳化硅素坯；将一定质量的硅放到碳化硅素坯试样上，然后一起放入真空烧结炉中按照设定的程序进行烧结，本发明通过控制硅的凝固方向，减小反应烧结碳化硅坯体内因硅的凝固膨胀而产生的内应力。该工艺可以使硅凝固时的体积膨胀不会集中到坯体某一部分，而且体积膨胀有释放的通道，即硅的凝固膨胀不受约束，消除其在坯体内产生的应力。 |
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