| 专利名称 | 一种全光固态超快光探测器的制备方法 | 申请号 | CN201710058864.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106935681A | 公开（授权）日 | 2017.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 曹伟伟;王博;徐鹏;白永林;白晓红;朱炳利;缑永胜;秦君军;刘白玉 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0232(2014.01)I | 专利有效期 | 一种全光固态超快光探测器的制备方法 至一种全光固态超快光探测器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域，具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法，其特殊之处在于：包括以下步骤：1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层，然后在腐蚀停层上低温生长2?5um的低温GaAs作为功能材料层，所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片；2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR；3)在石英基片上旋涂紫外固化胶，然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上；4)将GaAs衬底逐渐减薄，直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层；5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。 |
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