| 专利名称 | 一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构 | 申请号 | CN201710073591.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106801217A | 公开（授权）日 | 2017.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邱清泉;汪天龙;屈飞;靖立伟;张国民;肖立业 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;F16J15/10(2006.01)I;F16L59/065(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构 至一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构，包括超导线圈(1)、磁轭、玻璃钢垫片(5、6)、杜瓦、玻璃钢套管(10)、大四氟垫圈(11)、不锈钢垫圈(12)、小四氟垫圈(13)及阴极托架(14)；超导线圈(1)与杜瓦端盖(7)和底磁轭(4)之间用玻璃钢垫片(5、6)支撑和绝缘，杜瓦底座(8)采用真空夹层结构或填充发泡材料以降低热损耗；杜瓦底座(8)和不锈钢垫圈(12)之间采用大四氟垫圈(11)配合密封圈密封和绝缘，大四氟垫圈(11)、不锈钢垫圈(12)、小四氟垫圈(13)和杜瓦底座(8)之间采用玻璃钢螺栓或带玻璃钢绝缘套管的金属螺栓紧固；不锈钢垫圈(12)和阴极托架(14)之间采用密封圈密封并用普通金属螺栓紧固。 |
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