| 专利名称 | 一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法 | 申请号 | CN201710078353.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106847511A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 王振洋;张淑东;李年;张忠平;赵婷婷;江海河 | 主分类号 | H01G9/048(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G9/048(2006.01)I;H01G9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法 至一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法，是以不同厚度的钽片为主体材料，通过用能量高于可以改变钽金属表面结构的能量的激光照射其表面，在钽金属表面非常简单的获得分布均匀的微纳米级晶粒，从而有效地增加表面积。本发明采用的高比表面结构阳极钽箔可以做成任意形状的薄片状、卷绕式等，采用激光处理阳极钽箔，极大的增加表面积，使最终制成的钽电容器的容量会大幅提高，对阳极钽箔直接叠片或卷绕皆满足叠片式或卷绕式设计要求，更适合现代元器件对薄型化、高容量的需求。 |
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