| 专利名称 | 一种基于氘氚混合束的中子源装置 | 申请号 | CN201611226586.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106782738A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 吴宜灿 | 主分类号 | G21G4/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G21G4/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于氘氚混合束的中子源装置 至一种基于氘氚混合束的中子源装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供一种基于氘氚混合束的中子源装置包括离子注入系统、靶系统和溅射源，离子注入系统用于产生氘氚混合离子束轰击靶系统，靶系统包括靶盘和靶基，靶盘朝向离子注入系统的表面包括储氢薄膜，溅射源用于向靶盘补充储氢薄膜原料；在氘氚混合离子束轰击靶系统过程中，部分氘或氚被不断储存在靶系统的储氢薄膜中，后续的氘氚混合离子束轰击靶时会与储氢薄膜中储存的氘或氚作用而产生中子；避免了传统方法实验过程中氚靶中氚含量逐渐降低而导致中子产额不断降低的情况，实现了氚的自持；同时利用溅射源对靶系统不断补充靶材元素，提高靶盘的储氢薄膜的质量，从而提高靶盘的储氢能力，进而提高靶系统寿命，并确保获得持续的高通量中子。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障