| 专利名称 | SiO2@Ag核壳结构复合导电粒子及其制备方法 | 申请号 | CN201611151274.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106735181A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 孙蓉;张保坦;李金泽;朱朋莉;赵涛 | 主分类号 | B22F1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F1/02(2006.01)I;B22F9/24(2006.01)I;C23C18/44(2006.01)I;C23C18/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | SiO2@Ag核壳结构复合导电粒子及其制备方法 至SiO2@Ag核壳结构复合导电粒子及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种SiO2@Ag核壳结构复合导电粒子的制备方法，包括：将SiO2分散到无水乙醇中超声10～60min，然后加入敏化液，于室温反应10～120min后，再进行离心和洗涤，得到敏化后的SiO2；将敏化后的SiO2分散在去离子水中并超声10～60min，然后置于活化液[Ag(NH3)2]OH·XH2O溶液中进行活化，于室温反应10～90min，再经过离心分离，得到表面含有纳米银晶种的二氧化硅粒子；将二氧化硅粒子分散在镀银液中，升温至25～80℃，然后滴加还原液，继续反应60～300min，经离心、洗涤、真空干燥得到SiO2@Ag核壳结构复合导电粒子。上述复合导电粒子导电性高且生产成本低。 |
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