| 专利名称 | 一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法 | 申请号 | CN201611126275.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106744657A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 韩奕;李耀耀;宋禹忻;朱忠赟珅;张振普;曹春芳;王庶民 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法 至一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。 |
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