| 专利名称 | GaN基半导体器件及其制作方法 | 申请号 | CN201510752667.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106684213A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 严威;孙逸;冯美鑫;周宇;孙钱;杨辉 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | GaN基半导体器件及其制作方法 至GaN基半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障