| 专利名称 | 一种砷化镓表面形貌控制方法 | 申请号 | CN201611251389.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653886A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵 | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种砷化镓表面形貌控制方法 至一种砷化镓表面形貌控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种砷化镓表面形貌控制方法，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区域结合生成气态的三氧化二砷与一氧化二镓，控制反应时间实现砷化镓表面的形貌控制。本发明所提供的砷化镓(GaAs)表面形貌控制技术，工艺非常简单，且更加环保、成本低廉。 |
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