| 专利名称 | 六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 | 申请号 | CN201610938945.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653262A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张颖;彭丽聪;王文洪;吴光恒;蔡建旺;沈保根 | 主分类号 | H01F1/01(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F1/01(2006.01)I;H01F13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 至六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法，包括如下步骤：1)对六角MnNiGa施加磁场，其中所述磁场不足以使得所述六角MnNiGa中的条状磁畴转变为斯格明子，所述磁场的方向不平行所述六角MnNiGa的{001}晶面族；2)对所述六角MnNiGa施加电流或/和加热使其条状磁畴消失。本发明的调控方法在六角MnNiGa材料体系中形成了高密度的斯格明子阵列，且高密度的斯格明子在零场和宽温域室温下都能稳定存在。 |
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