| 专利名称 | 一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法 | 申请号 | CN201510736240.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106637161A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 董显林;薛粉;陈莹;王根水 | 主分类号 | C23C20/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C20/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法 至一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用化学溶液沉积法制备镧钙锰氧薄膜，在溶液中掺入铁离子，通过调节铁离子的掺杂量，实现对镧锶锰氧薄膜磁性能的规律性调控。本发明制备的薄膜铁离子分布均匀、表面粗糙度低、无微裂纹，性能稳定，且具有较好的磁学性能，利用该调控方法制备的LCMO薄膜，可在较宽温度范围内改变其居里温度，这对于磁场传感器及磁电复合材料的研究有着重要的意义，在微波通信、信息、计算机、航空航天等领域有着潜在的重要应用前景。 |
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