| 专利名称 | 一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201610896334.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106554326A | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 罗军华;孙志华;张静;姬成敏;张伟川;李丽娜 | 主分类号 | C07D295/027(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D295/027(2006.01)I;C07D295/023(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途 至一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5，属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近，在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能，可以用于制作光电导探测器，在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值；本发明的合成制备方法实用性较强，路线简单，易于操作，无需复杂的生产设备，制造成本低，适用于批量生产。 |
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