| 专利名称 | 一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途 | 申请号 | CN201611050179.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106544729A | 公开（授权）日 | 2017.03.29 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 宫建茹;张凯;亚瑟·阿巴斯 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途 至一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途。本发明的固溶体纳米线的平均直径为50～150nm，长度为5～50μm，其中ZnO摩尔百分含量为15～95％。本发明的方法包括：将GaN、Ga2O3、和ZnO粉末混合装入一个容器，将ZnO和石墨粉末混合装入另一个容器，将这两个容器和衬底放入一端封口一端开口的小石英管，再把小石英管放入大石英管，抽真空、加热且通有载气和氨气，在衬底上生长得到固溶体纳米线。本发明的方法简单，反应参数易控，制备的GaN?ZnO固溶体纳米线尺寸均匀，结晶良好，作为催化剂应用于太阳能光催化分解水制氢的性能优异，最高产氢速率达到1.3mmol?h?1g?1。 |
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