| 专利名称 | 酞菁钴气敏元件及其制备方法 | 申请号 | CN201610960111.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106483168A | 公开（授权）日 | 2017.03.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 刘强;段国韬;高磊;苏星松 | 主分类号 | G01N27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 酞菁钴气敏元件及其制备方法 至酞菁钴气敏元件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种酞菁钴气敏元件及其制备方法。气敏元件由覆于电极上的酞菁钴组成，其中，酞菁钴为膜厚35～100nm的薄膜状，薄膜由棒长为180～250nm、棒直径为35～45nm的纳米棒组成；方法为先将酞菁钴置于≥95％的酸溶液中搅拌后抽滤，再将得到的滤饼交替置于酸溶液或碱溶液中分散后抽滤至少3次，得到纯化的酞菁钴，接着，先将纯化的酞菁钴水洗至其滤液呈中性后干燥，再将得到的酞菁钴粉末分散于正丁醇中，得到酞菁钴正丁醇溶液，之后，先通过界面自主装法将酞菁钴正丁醇溶液于去离子水表面形成酞菁钴薄膜，再使用电极捞取酞菁钴薄膜后静置，将得到的覆于电极上的酞菁钴薄膜干燥，制得目的产物。它可广泛地应用于对二氧化氮气体的高灵敏度检测。 |
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