| 专利名称 | 高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法 | 申请号 | CN201610879687.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106400116A | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高攀;严成锋;忻隽;孔海宽;刘学超;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法 至高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法，所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0°<α≤30°。采用本发明的斜角度籽晶托不仅可以有效降低制备晶体的缺陷密度，还可以直接选择无偏角晶片作籽晶，从而有效节约晶体制备的成本。 |
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