| 专利名称 | 基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法 | 申请号 | CN201510486343.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449897A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄荣;张子旸;李智;黄源清;张宝顺 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法 至基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法，包括应用激光直写工艺刻写刻蚀结构图形步骤：首先控制激光直写的曝光光斑沿光刻胶层的第一方向刻写，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻写，最终在光刻胶层上形成M行×N列的曝光光斑，其中，曝光光斑的直径为D，曝光光斑的步进均为d，并且 |
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