一种电磁勘探发射机的发射电路拓扑及其控制方法

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专利名称 一种电磁勘探发射机的发射电路拓扑及其控制方法 申请号 CN201610797320.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106374885A 公开(授权)日 2017.02.01 申请(专利权)人 中国科学院地质与地球物理研究所 发明(设计)人 真齐辉;底青云 主分类号 H03K3/021(2006.01)I IPC主分类号 H03K3/021(2006.01)I;H03K3/013(2006.01)I 专利有效期 一种电磁勘探发射机的发射电路拓扑及其控制方法 至一种电磁勘探发射机的发射电路拓扑及其控制方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明实施例公开了一种电磁勘探发射机的发射电路拓扑及其控制方法,包括:多电平发射桥路,所述多电平发射桥路包括八个IGBT管:S11、S12、S13、S14、S15、S16、S21、S22、S23、S24、S25及S26,四个钳位二极管:D11、D12、D21及D22组成,电路中改进的多电平拓扑将钳位二极管的电压钳制在单个电平以内,保证了良好的稳定性,与现有设备相比有较小的dv/dt和di/dt,降低了绝缘冲击与电磁干扰。

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