| 专利名称 | 具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件 | 申请号 | CN201510426980.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106374033A | 公开（授权）日 | 2017.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 姜俊;张轩;郭鹏;张晓光;韩秀峰 | 主分类号 | H01L43/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/00(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 专利有效期 | 具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件 至具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件。一种磁性隧道结包括：第一磁层，其具有固定磁化；第二磁层，其磁化方向能随外磁场而自由转动；以及势垒层，其由绝缘材料制成，并且被夹置在所述第一磁层和所述第二磁层之间，其中，所述势垒层具有拱形的能带曲线。所述磁性隧道结在预定的偏压范围中可以具有负微分电阻。本发明还涉及包括该磁性隧道结的振荡电路和交流放大电路。 |
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