一种含氧空位缺陷光催化剂锶铋铌氧的原位制备方法

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专利名称 一种含氧空位缺陷光催化剂锶铋铌氧的原位制备方法 申请号 CN201610793751.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106362729A 公开(授权)日 2017.02.01 申请(专利权)人 中国科学院新疆理化技术研究所 发明(设计)人 李英宣;张丙;王传义 主分类号 B01J23/20(2006.01)I IPC主分类号 B01J23/20(2006.01)I;B01J37/34(2006.01)I 专利有效期 一种含氧空位缺陷光催化剂锶铋铌氧的原位制备方法 至一种含氧空位缺陷光催化剂锶铋铌氧的原位制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种含氧空位缺陷光催化剂锶铋铌氧的原位制备方法,该方法采用熔盐法合成SrBi2Nb2O9纳米片,然后将SrBi2Nb2O9纳米片置于H2气氛中并用紫外?可见?红外光全谱光照,即得到SrBi2Nb2O9?VO。与传统的在惰性气氛或还原性气氛中煅烧样品产生氧空位缺陷的方法相比,本发明产生氧空位缺陷的方法更加简单有效,所需成本更低,更有利于对太阳光的充分利用。该方法不仅能在催化剂上原位产生氧空位缺陷,而且催化剂能利用产生的氧空位缺陷增强自身光催化还原CO2的性能。同时,该方法也有望应用于其它含氧的Bi基光催化剂中。

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