| 专利名称 | 一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201611048929.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106356417A | 公开（授权）日 | 2017.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 屈飞;李辉;古宏伟;丁发柱;张贺 | 主分类号 | H01L31/0445(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法 至一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、Mo背电极、梯度禁带宽度吸收层、n型CdS缓冲层、本征氧化锌绝缘层、导电层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CIGS吸收层和p型CdTe吸收层。本发明利用CIGS基吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提升了太阳电池转换效率。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障