| 专利名称 | 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 | 申请号 | CN201610973949.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106356716A | 公开（授权）日 | 2017.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘震;王嘉琪;于红艳;周旭亮;李召松;王圩;潘教青 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 至一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、GaAs隧道结等，通过在GaAs隧道结中引入超薄的重掺杂n型层与重掺杂p型层，结合量子阱有源区层结构，在保证器件稳定性获得高功率的同时实现了宽光谱的激射；同时，引入p型栅电极，更进一步增强了器件的可控性。 |
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