| 专利名称 | 一种用于高温晶体生长的气体花洒装置 | 申请号 | CN201510419537.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106337202A | 公开（授权）日 | 2017.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 | 主分类号 | C30B25/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/14(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于高温晶体生长的气体花洒装置 至一种用于高温晶体生长的气体花洒装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于高温晶体生长的气体花洒装置，包括：基座；若干喷管，所述若干喷管沿所述基座的轴向延伸并与所述基座气体连通；至少一层隔板，所述隔板上开设有与所述若干喷管对应的若干通孔5，所述隔板通过所述通孔5套设在所述喷管上。本发明设置的隔板能够有效的阻隔来自样品托和衬底附近的热辐射，使得花洒装置整体特别是喷管内外壁均达不到晶体外延生长的温度，这样就防止了花洒装置上生产晶体外延的可能性，保证了源气不消耗在花洒装置上，可以顺利到达衬底表面，同时也有效延长了花洒装置的使用寿命。 |
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