| 专利名称 | 半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201510351481.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106328501A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;刘金彪;高建峰;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件的制造方法 至半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的载流子迁移率，并能减小PMOS器件区域的压应力，保证PMOS器件性能。 |
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