| 专利名称 | 一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺 | 申请号 | CN201510375208.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106319460A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 高建峰;唐兆云;殷华湘;李俊峰;赵超 | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/34(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺 至一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺，所述设备包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体。由于该设备增加了侧置线圈及与其相连接的射频电源，并通过调节惰性气体压力，提高了等离子体密度，结合PVD溅射的其他工艺参数，能形成电学性能良好，并且在沟槽表面覆盖效果良好的薄膜，可延续溅射沉积工艺应用到22纳米及以下技术的后栅工艺中。 |
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