| 专利名称 | 一种微纳米阵列结构、制备方法及应用 | 申请号 | CN201510239633.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106276775A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 陈东学;董建杰;刘前 | 主分类号 | B81B7/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种微纳米阵列结构、制备方法及应用 至一种微纳米阵列结构、制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微纳米加工技术领域，具体涉及一种微纳米阵列结构、制备方法及应用，所述结构包括碳化硅基底、在所述碳化硅基底上的微米柱体以及在所述碳化硅基底和所述微米柱体表面的纳米结构。本发明的微米柱体不受形状的限制，纳米结构不受形状限制；实现了10-13μm的中红外宽光谱吸收，吸光率几乎为1；本发明材料简单，操作步骤单一，而且纳米结构加工方便，使用紫外光刻等设备，降低了成本，可实现大面积快速加工，为实际应用奠定了基础。 |
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