| 专利名称 | 基于Os衬底的外延结构及其制作方法 | 申请号 | CN201510305662.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106299068A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李宝吉;吴渊渊;陆书龙 | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 基于Os衬底的外延结构及其制作方法 至基于Os衬底的外延结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体外延取向关系为AlN[11?20]//Os[100]。本发明还公开了一种制作所述基于Os衬底的外延结构的方法。本发明提供的基于Os衬底的外延结构质量良好，特别是其中InGaN/GaN多量子阱的结晶质量好、光电性能好、缺陷少，且其制作方法简单易实施，成本低廉。 |
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