| 专利名称 | 单光子雪崩二极管像素结构及像素阵列结构 | 申请号 | CN201610791629.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106206638A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 汪辉;黄景林;章琦;汪宁;田犁;黄尊恺;曹虎 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 专利有效期 | 单光子雪崩二极管像素结构及像素阵列结构 至单光子雪崩二极管像素结构及像素阵列结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单光子雪崩二极管像素结构及像素阵列结构，单光子雪崩二极管像素结构包括：单光子雪崩二极管，包括阳极及阴极；单光子雪崩二极管的阴极与一偏置电压源相连接；第一上拉管，与供电电源、复位信号及单光子雪崩二极管的阳极相连接；下拉管单元，与第一上拉管及单光子雪崩二极管的阳极相连接；淬火单元，与供电电源、下拉管单元及单光子雪崩二极管的阳极相连接；输出单元，与淬火单元相连接。本发明的单光子雪崩二极管像素结构可以在未被选中曝光和读出时将单光子雪崩二极管阳极与阴极的电压偏置在临界雪崩电压之下而不会发生雪崩效应；本发明的像素阵列结构可以实现单像素结构的曝光，便于研究单像素结构对相邻像素结构的串扰影响。 |
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