| 专利名称 | 一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610831257.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106191999A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王业亮;武旭;邵岩;刘中流;高鸿钧 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法 至一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种锑烯二维原子晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在真空环境下，对单晶基底进行处理，得到干净平整的晶面；2)将适量高纯度锑原子蒸发沉积到单晶基底上，同时使单晶基底保持一预设的生长温度，以使沉积的锑原子产生相互作用，并充分扩散，形成六角蜂窝状排布的二维有序的周期性结构，从而获得锑烯二维原子晶体材料。这种类石墨烯结构的新型材料拓展了非碳基二维蜂窝状晶体材料的研究领域，在未来信息电子学及半导体器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。 |
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