| 专利名称 | Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 | 申请号 | CN201510166797.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106159671A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/026(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 至Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结等，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，其中所述HEMT的源电极还与GaN激光器的P型电极电性连接。本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN?HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。 |
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