| 专利名称 | SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法 | 申请号 | CN201510167697.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106158933A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;夏超;王中健;徐大伟;曹铎;郑理;沈玲燕;王谦;俞跃辉 | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法 至SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法，包括：P-型衬底；P型外延层；N型外延层；第一沟槽，形成于所述N型外延层之中；绝缘层，填充于所述第一沟槽之内；多个N型多晶硅层，自下而上间隔分布于所述绝缘层中；所述第一沟槽的一侧形成有P-型阱，所述P-型阱中形成有N+型源区及与所述N+型源区相连的P+型层，所述N+型源区表面形成有源极金属，所述N+型源区与所述第一沟槽之间的表面形成有绝缘栅以及栅金属层；所述第一沟槽的另一侧形成有N+型漏区，所述N+型漏区表面形成有漏极金属。本发明可以提高器件耐压，在器件导通时，可以极大的提高漂移区电流，降低器件的导通电阻，提高器件的功率因子。 |
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