| 专利名称 | 大面积单晶多孔二氧化钛薄膜及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201510136276.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106145692A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 封心建;杨劼;盛夏 | 主分类号 | C03C17/25(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/25(2006.01)I | 专利有效期 | 大面积单晶多孔二氧化钛薄膜及其制备方法与应用 至大面积单晶多孔二氧化钛薄膜及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种大面积单晶多孔二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。该制备方法包括：采用水热法在沉积有TiO2晶种层的导电基底表面生长高取向多孔二氧化钛薄膜；以及，对所述高取向多孔二氧化钛薄膜进行煅烧处理，获得单晶多孔二氧化钛薄膜。优选的，还可对所述单晶多孔二氧化钛薄膜进行表面处理和扩孔处理，获得孔隙尺寸不同的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜。本发明制备方法操作简单，成本低廉，有较好可控性，且所获单晶多孔二氧化钛薄膜具有可控的薄膜厚度和孔隙尺寸，以及较高取向性和高比表面积，同时还具有较少的晶界和缺陷，提供了有效的电子传输通道，因此还具有高电子传输速率，适于在光电器件中广泛应用，例如可用于光电器件的光阳极。 |
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