| 专利名称 | 一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201510158283.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106148910A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 方小红;蔡伟;王聪;陈小源;杨立友 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法 至一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反应形成氮掺杂石墨烯薄膜。本发明在固液体碳氮源生长氮掺杂石墨烯方法的基础上引入小分子气体碳源来完善前驱层，使得现有方法中缺陷较多，电学性质较差，掺杂浓度不可控的氮掺杂石墨烯薄膜质量得到改善，从而获得电学性能优秀，缺陷较少的氮掺杂可控的N型石墨烯薄膜。 |
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