| 专利名称 | 三维1D1R相变存储器单元及其制备方法 | 申请号 | CN201610692865.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106098721A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘燕;宋志棠 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 三维1D1R相变存储器单元及其制备方法 至三维1D1R相变存储器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三维1D1R相变存储器单元及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。该三维1D1R相变存储器单元包括：二极管层和绝缘层的周期性交替堆叠结构；光刻与刻蚀该堆叠结构所形成的深孔；在该深孔内壁及底部形成相变材料薄膜和顶电极薄膜；以及在该深孔内形成绝缘层，且绝缘介质层充满该深孔，其中，相变材料薄膜的电阻受所对应的二极管单元驱动控制。本发明基于二极管选通相变存储单元作为1D1R结构，采用可三维堆叠的二极管阵列制备方法，实现高集成密度、低工艺成本，能够有效抑制阵列结构中邻近电流串扰的三维可堆叠相变存储器阵列。本发明有效地解决了新一代高速、高密度、嵌入式海量存储的技术难题。 |
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