| 专利名称 | 大高宽比纳米级金属结构的制作方法 | 申请号 | CN201610407163.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106094445A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李海亮;史丽娜;牛洁斌;王冠亚;谢常青;刘明 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 大高宽比纳米级金属结构的制作方法 至大高宽比纳米级金属结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种大高宽比纳米级金属结构的制作方法，所述方法包括：利用电子束蒸发金属材料，以在特定参数的单晶硅衬底上金属薄膜图案；将表面形成有金属薄膜图案的单晶硅衬底浸在混合液中进行催化腐蚀一段时间，以在单晶硅衬底上形成大高宽比的深硅槽；以深硅槽底部的金属薄膜为导电电镀种子层，将具有深硅槽的单晶硅衬底浸在电镀液中进行电镀，以增加金属薄膜的厚度至指定高度，以形成指定高宽比的金属结构；将形成有指定高宽比的金属结构的单晶硅衬底浸在混合液中进行各向同性湿法腐蚀一段时间，以去除所述金属结构之间的单晶硅。本发明的制作方法制作的纳米级金属结构的高宽比大。 |
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