| 专利名称 | 利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法 | 申请号 | CN201610664021.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106091954A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 曾爱军;谷利元;胡国行;黄惠杰;贺洪波 | 主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B11/06(2006.01)I;B82Y35/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法 至利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法，当光强反射率R取得最小值时，此时对应的空气隙厚度d1即为需要镀制的介质薄膜的厚度；采用物理沉积法或化学沉积法在棱镜底面镀制介质薄膜；介质薄膜镀制完成后，采用精密测量仪器测量得出的所镀介质膜层的厚度，即为实际控制的纳米尺度空气隙的厚度。本发明解决了用来产生表面等离子体共振效应的Otto结构中纳米尺度空气间隙厚度难于精确控制的问题。 |
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