| 专利名称 | 一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610410680.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106083057A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈健;陈军军;黄政仁;陈忠明;刘学建 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B41/88(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法 至一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为≥20wt%，优选为20～40wt%。本发明所制备的SiC基复相陶瓷具有线性的伏安特性，可调的电阻率，同时具有较高的强度与硬度以及较低的密度，在实现结构与功能一体化的电阻元件等方面有望得到重要应用。因此SiC/ZrB2复相陶瓷有望成为可在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的结构与功能一体化的电子工业元件。本发明所述方法为常压烧结，可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。 |
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