| 专利名称 | 一种锆钛酸铅/钌酸锶铁电超晶格材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610561254.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106058039A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 王占杰;何斌 | 主分类号 | H01L41/187(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/187(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锆钛酸铅/钌酸锶铁电超晶格材料及其制备方法 至一种锆钛酸铅/钌酸锶铁电超晶格材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的目的在于提供一种锆钛酸铅/钌酸锶铁电超晶格材料及其制备方法，该材料由周期性生长的铁电性材料锆钛酸铅和金属导电性氧化物材料钌酸锶所构成。本发明锆钛酸铅/钌酸锶铁电超晶格材料的优点为：介电常数与纯PZT薄膜相比增加了2～10倍；并且具有良好的铁电极化性能，其饱和极化值高于纯PZT薄膜，可以达到80μC/cm2。该材料的制备方法是利用脉冲激光沉积法在单晶基板上交替生长钌酸锶和锆钛酸铅，通过控制激光轰击不同靶材的时间，精确地调控超晶格的周期厚度。该铁电超晶格材料在传感器、存储器等集成铁电器件上具有广阔的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障