| 专利名称 | 纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201510109691.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106033817A | 公开（授权）日 | 2016.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 周小春;顾俊南 | 主分类号 | H01M4/88(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M4/88(2006.01)I;H01M4/94(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用 至纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用。该制备方法包括：提供具有纳米孔道阵列的模板，纳米孔道阵列由分布在模板上的复数纳米级盲孔组成；将离子导体溶液等填充于模板内并固化成型；以及，去除所述模板，获得所述纳米阵列结构的离子交换膜。进一步的，该离子交换膜可应用于制备单电极核心组件。本发明通过采用单通模板法在离子交换膜上原位制备纳米阵列，尺寸可大范围控制，其中纳米线或纳米管直径＞100nm，长度为10nm?100μm，纳米阵列的离子交换膜面积为0.1cm2?1m2，进一步的，通过并且采用磁性调控催化剂进入纳米缝隙，可大大增加三相界面(电子、质子、物质)，并且可精确控制，且工艺简单，可大规模生产。 |
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