| 专利名称 | 电场增强结构 | 申请号 | CN201510106412.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106033059A | 公开（授权）日 | 2016.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄增立;王建峰;刘争晖;徐耿钊;钟海舰;樊英民;徐科 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I | 专利有效期 | 电场增强结构 至电场增强结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种电场增强结构，包括基底层及设置在所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒形成，所述介电颗粒的折射率大于所述隔离层的折射率。本发明的优点在于，高折射率介电颗粒能够和入射的电磁场相互作用产生谐振的电磁耦合模式，热损耗能够大大降低；介电颗粒靠近金属，保持一定的低折射率的隔离层，介电颗粒的电磁谐振模式能够与邻近金属的等离激元模式相互作用，导致介电颗粒和金属之间形成极大的电磁增强场；低折射率隔离层的存在能够避免金属和探测物直接接触，有效防止探测物的拉曼信号、荧光信号等的淬灭现象的发生。 |
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