| 专利名称 | 多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201510071527.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990409A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王明华;王伟;樊晓华;刘明 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法 至多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。本发明适用于CMOS超大规模集成电路器件，可以实现隧穿场效应晶体管的低亚阈值斜率、低关态电流和低操作电压等特性，同时克服普通隧穿场效应晶体管开态电流低、驱动能力差的缺陷。 |
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